18일 삼성전자에 따르면 작년 6월 8GB HBM2 D램 양산을 시작해 인공지능(AI) 서비스에 활용되는 슈퍼컴퓨터용 메모리시장을 개척한 데 이어 기존 하이엔드 그래픽카드 시장까지 프리미엄 D램 활용처를 확대해 왔다.
8GB HBM2 D램은 기존 그래픽 D램(8Gb GDDR5, 8Gbps)의 전송 속도(32GB/s)보다 8배 빠른 초당 256GB 속도로 데이터 전송이 가능하다.
8GB HBM2 D램에는 삼성전자의 ‘초고집적 TSV 설계’와 ‘발열 제어 기술’ 등 850여 건의 핵심 특허가 적용돼 고객들의 차세대 시스템에 고용량, 초고속, 초절전 등 최적의 솔루션을 제공한다.
이번 제품은 1개의 버퍼 칩 위에 8Gb(기가비트) HBM2 D램 칩(20나노 공정 기반) 8개를 적층한 구조로 각 칩에 5천 개 이상의 미세한 구멍을 뚫고 총 4만 개 이상의 ‘TSV 접합볼’로 수직 연결한 ‘초고집적 TSV 설계 기술’이 적용됐다.
특히 대용량 정보 처리 시 일부 TSV에서 데이터 전달이 지연될 경우 성능 저하가 발생하지 않도록 다른 TSV로 경로를 전환시켜 최적의 성능을 유지할 수 있도록 했다.
삼성전자는 고속 동작 시 칩의 특정 영역이 제한 온도 이상으로 상승하지 않도록 하는 ‘발열 제어 기술’도 개발해 적용함으로써 높은 수준의 신뢰성을 확보했다.
또 4GB HBM2 D램과 동일한 크기에 2배의 용량을 제공함으로써 인공지능 시스템의 성능 한계 극복에 기여했으며, 차세대 시스템의 소비전력 효율도 약 2배 높였다. 화성=조흥복 기자 hbj@kihoilbo.co.kr
박진철 기자 jch@kihoilbo.co.kr
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