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SK하이닉스가 20나노급 4Gb(기가비트) DDR4를 기반으로 NVDIMM(Non Volatile Dual In-line Memory Module, 비휘발성 메모리 모듈) 기준 최대 용량인 16GB(기가바이트) 제품을 세계 최초로 개발했다고 21일 밝혔다.
이 제품은 기존 DDR4 모듈과 같은 성능을 구현하면서도 한 모듈에 D램, D램 두 배 용량의 낸드플래시 및 모듈 컨트롤러를 결합해 구성했다. 이에 따라 예상치 못한 전원 손실이 발생하는 경우에도 D램의 데이터를 비휘발성 반도체인 낸드플래시로 전송함으로써 데이터를 안전하게 저장 및 복구할 수 있는 것이 특징이다.
동작전압 1.2V에서 2천133Mbps의 속도를 구현했으며, 64개의 정보입출구(I/O)를 가진 모듈을 통해 초당 17GB의 데이터를 처리할 수 있다.
이 제품은 내년 상반기부터 본격 양산돼 한 차원 높은 데이터 안정성을 필요로 하는 고객들에게 특화된 솔루션으로 제공될 계획이다.
SK하이닉스 DRAM개발본부장 홍성주 전무는 “세계 최초로 NVDIMM에서 최대 용량인 16GB DDR4 제품을 개발함으로써 새로운 메모리 솔루션 시장을 선도한다는 데 의의가 있다”며 “향후에도 이러한 하이브리드(Hybrid) 모듈을 지속 개발해 서버용 메모리 시장에서의 기술리더십을 강화할 것”이라고 말했다.
※NVDIMM(Non Volatile Dual In-line Memory Module: 비휘발성 메모리 모듈)=외부 전력을 이용해 비정상적인 전원 손실 상황에서 D램의 데이터를 낸드플래시로 안전하게 백업하고 전원이 다시 정상화됐을 때 D램으로 다시 복구하는 기능을 가진 메모리 모듈. 보조 전원장치로 슈퍼 커패시터(Super Capacitor, 초고용량 축전지)를 사용.
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